NTD4809NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
4 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
表面安装
YES
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型
Surface Mount
触点镀层
Tin
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
25.3 ns
1.4W Ta 52W Tc
1
4.5V 11.5V
9.6A Ta 58A Tc
已出版
2007
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
9MOhm
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1456pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 11.5V
上升时间
22.7ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
2.8 ns
连续放电电流(ID)
58A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏源击穿电压
30V
宽度
6.22mm
长度
6.73mm
高度
2.38mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
无铅
Lead Free
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8.1A (Ta), 44A (Tc)
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35.7 W
1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
±20V
1 (Unlimited)
NTD4809NT4G PDF数据手册
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