![NTD4302-1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-mcr12dsn001-2437.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
8.4A Ta 68A Tc
4.5V 10V
1
1.04W Ta 75W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
30V
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
68A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
75W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 24V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
68A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.01Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28A
雪崩能量等级(Eas)
722 mJ
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxVgs (Max)Moisture Sensitivity Level (MSL)
-
NTD4302-1G
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
68 A
8.4A (Ta), 68A (Tc)
20 V
75 W
1.04W (Ta), 75W (Tc)
±20V
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
58 A
9.6A (Ta), 58A (Tc)
20 V
2 W
1.4W (Ta), 52W (Tc)
±20V
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
58 A
13A (Ta), 58A (Tc)
20 V
55 W
55W (Tc)
±20V
1 (Unlimited)
-
TO-251-3 Stub Leads, IPak
58 A
9.6A (Ta), 58A (Tc)
20 V
2 W
1.3W (Ta), 52W (Tc)
±20V
1 (Unlimited)
NTD4302-1G PDF数据手册
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