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NTD4969NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
9.4A Ta 41A Tc
4.5V 10V
1
1.38W Ta 26.3W Tc
13.3 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
26.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
837pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 4.5V
上升时间
27ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.4 ns
连续放电电流(ID)
12.7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating TemperatureMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
NTD4969NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
12.7 A
9.4A (Ta), 41A (Tc)
20 V
26.3 W
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
12 A
10A (Ta), 63A (Tc)
20 V
2 W
1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
TO-251-3 Stub Leads, IPak
58 A
9.6A (Ta), 58A (Tc)
20 V
2 W
1.3W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
TO-251-3 Stub Leads, IPak
58 A
9.6A (Ta), 58A (Tc)
20 V
2 W
1.3W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NTD4969NT4G PDF数据手册
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