NGTG12N60TF1G
Module
ON SEMICONDUCTOR NGTG12N60TF1GIGBT Single Transistor, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
包装/外壳
Module
引脚数
3
600V
包装
Tube
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
54W
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
24A
连续集电极电流
20A
高度
26.5mm
长度
15.5mm
宽度
5.5mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
NGTG12N60TF1G PDF数据手册
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