NGTB15N60R2FG
TO-220-3 Full Pack
ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
600V
300V, 15A, 30 Ω, 15V
操作温度
175°C TJ
包装
Tube
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
54W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
54W
集电极发射器电压(VCEO)
2.1V
最大集电极电流
24A
反向恢复时间
95 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V, 15A
闸门收费
80nC
集极脉冲电流（Icm）
60A
Td（开/关）@25°C
70ns/190ns
开关能量
550μJ (on), 220μJ (off)
高度
15.87mm
长度
10.16mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentCollector Emitter Saturation VoltageReverse Recovery TimeNumber of Pins
NGTB15N60R2FG
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
24 A
1.85 V
95 ns
3
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
30 A
2.2 V
82.4 ns
3
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
20 A
1.5 V
107 ns
3
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600 V
30 A
1.6 V
103 ns
3
Through Hole
TO-220-3
600 V
20 A
1.5 V
107 ns
3
NGTB15N60R2FG PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 组装/原产地 :
- 到达声明 :