NGTB03N60R2DT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ON SEMICONDUCTOR NGTB03N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
27 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
600V
300V, 3A, 30 Ω, 15V
操作温度
175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
49W
Reach合规守则
not_compliant
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
49W
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
9A
反向恢复时间
65 ns
最大击穿电压
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V, 3A
闸门收费
17nC
集极脉冲电流（Icm）
12A
Td（开/关）@25°C
27ns/59ns
开关能量
50μJ (on), 27μJ (off)
高度
2.38mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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