![MTD3055VL](https://static.esinoelec.com/200dimg/broadcomlimited-asmtmb00nae00-5136.jpg)
MTD3055VL
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
12A Tc
5V
1
3.9W Ta 48W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
107mOhm
附加功能
AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
60V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
额定电流
12A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.9W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
180m Ω @ 6A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
570pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 5V
上升时间
190ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
90 ns
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
42A
双电源电压
60V
雪崩能量等级(Eas)
72 mJ
栅源电压
1.5 V
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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MTD3055VL
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
12 A
12A (Tc)
1.5 V
20 V
3.9 W
3.9W (Ta), 48W (Tc)
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Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-15 A
15A (Ta)
-1.6 V
20 V
42 W
3.8W (Ta), 42W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
18.6 A
18.6A (Tc)
20 V
20 V
80 W
80W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
11.5 A
11.5A (Ta), 50A (Tc)
1.8 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 69W (Tc)
-
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
8.4A (Tc)
-
-
-
1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
MTD3055VL PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :