SPD18P06P
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
18.6A Tc
10V
1
80W Tc
24.5 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
1999
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
-60V
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
Reach合规守则
unknown
额定电流
-18.6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
80W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 13.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
860pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs（最大值）
±20V
连续放电电流(ID)
18.6A
阈值电压
20V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
74.4A
双电源电压
-60V
栅源电压
20 V
高度
2.3mm
长度
6.5mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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