FDD5614P
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-252
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
15A Ta
4.5V 10V
1
3.8W Ta 42W Tc
19 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
100MOhm
电压 - 额定直流
-60V
终端形式
GULL WING
额定电流
-15A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
电压
60V
元素配置
Single
电流
15A
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
42W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
759pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
-15A
阈值电压
-1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
双电源电压
-60V
雪崩能量等级(Eas)
90 mJ
最大结点温度(Tj)
175°C
栅源电压
-1.6 V
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDD5614P
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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20 V
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
18.6 A
18.6A (Tc)
20 V
20 V
80 W
80W (Tc)
FDD5614P PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :