STD12NF06T4
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
12A Tc
10V
1
30W Tc
17 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
100mOhm
电压 - 额定直流
60V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
12A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STD12
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
30W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
315pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
上升时间
18ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
6 ns
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48A
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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18 A
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50 A
50A (Tc)
3 V
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71 W
71W (Tc)
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