IPD088N06N3GBTMA1
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
50A Tc
10V
1
71W Tc
20 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
71W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.8m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 34μA
无卤素
Not Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3900pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48nC @ 10V
上升时间
40ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
50A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏极-源极导通最大电阻
0.0088Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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-
IPD088N06N3GBTMA1
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
50A (Tc)
50 A
3 V
20 V
71 W
71W (Tc)
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50A (Tc)
50 A
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12A (Tc)
12 A
3 V
20 V
30 W
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29A (Tc)
29 A
1.6 V
20 V
68 W
68W (Tc)
-
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
8A (Ta), 45A (Tc)
45 A
-
20 V
90 W
90W (Tc)
IPD088N06N3GBTMA1 PDF数据手册
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