生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

8A Tc

10V

1

205W Tc

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

Through Hole

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.4Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

900V

额定电流

8A

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

205W

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4 Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 10V

上升时间

120ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

900V

双电源电压

900V

雪崩能量等级（Eas）

900 mJ

栅源电压

5 V

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free