生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

6A Tc

10V

1

167W Tc

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

Through Hole

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.3Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

900V

额定电流

6A

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

167W

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.3 Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 10V

上升时间

90ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

900V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

双电源电压

900V

雪崩能量等级（Eas）

650 mJ

栅源电压

5 V

高度

9.4mm

长度

10.1mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free