![FGL60N100BNTDTU](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fgl60n100bntdtu-6205.jpg)
FGL60N100BNTDTU
TO-264-3, TO-264AA
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Rail
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
引脚数
3
质量
6.756g
晶体管元件材料
SILICON
1kV
1
600V, 60A, 51 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
1kV
最大功率耗散
180W
额定电流
60A
元素配置
Single
功率耗散
180W
输入类型
Standard
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1kV
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
1.2 μs
电压 - 集射极击穿(最大值)
1000V
接通时间
460 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.9V @ 15V, 60A
关断时间-标准值(toff)
760 ns
IGBT类型
NPT and Trench
闸门收费
275nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
140ns/630ns
高度
26mm
长度
20mm
宽度
5mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FGL60N100BNTDTU
Through Hole
TO-264-3, TO-264AA
1 kV
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180 W
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1200V
64 A
500 W
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160 A
250 W
250 W
2.1 V
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TO-264-3, TO-264AA
600 V
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80 A
250 W
250 W
2.2 V
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Through Hole
TO-264-3, TO-264AA
1.2 kV
1200V
70 A
368 W
-
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FGL60N100BNTDTU PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :