FDMS86152
8-PowerTDFN
MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
56.5mg
晶体管元件材料
SILICON
14A Ta 45A Tc
6V 10V
1
2.7W Ta 125W Tc
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.7W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3370pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
5 ns
连续放电电流(ID)
45A
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.006Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
260A
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxPower DissipationRadiation Hardening
FDMS86152
Surface Mount
8-PowerTDFN
45 A
14A (Ta), 45A (Tc)
20 V
2.7W (Ta), 125W (Tc)
2.7 W
No
Surface Mount
8-TQFN Exposed Pad
11 A
11A (Ta), 58A (Tc)
20 V
3.6W (Ta), 104W (Tc)
3.6 W
No
Surface Mount
8-PowerTDFN
100 A
17A (Ta), 100A (Tc)
20 V
3.6W (Ta), 156W (Tc)
3.6 W
No
Surface Mount
8-PowerVDFN
21 A
21A (Ta), 40A (Tc)
20 V
3.1W (Ta)
3.1 W
No
Surface Mount
8-PowerVDFN
63 A
11A (Ta), 63A (Tc)
20 V
-
114 W
No
FDMS86152 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :