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IRFH5110TR2PBF

型号:

IRFH5110TR2PBF

封装:

8-PowerVDFN

数据表:

IRFH5110PBF

描述:

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-PQFN (5x6)

  • 11A Ta 63A Tc

  • 1

  • 22 ns

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    3.6W

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    114W

  • 接通延迟时间

    7.8 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    12.4mOhm @ 37A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3152pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    72nC @ 10V

  • 上升时间

    9.6ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 下降时间(典型值)

    6.4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    63A

  • 阈值电压

    4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 输入电容

    3.152nF

  • 恢复时间

    51 ns

  • 漏源电阻

    12.4mOhm

  • 最大rds

    12.4 mΩ

  • 栅源电压

    4 V

  • 高度

    838.2μm

  • 长度

    5.9944mm

  • 宽度

    5mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

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