![IRFH5210TR2PBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-irfh5210trpbf-8666.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
8-PQFN (5x6)
10A Ta 55A Tc
1
21 ns
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
14.9MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
3.6W
元素配置
Single
功率耗散
3.6W
接通延迟时间
7.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14.9mOhm @ 33A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2570pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 10V
上升时间
9.7ns
漏源电压 (Vdss)
100V
下降时间(典型值)
6.5 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
输入电容
2.57nF
恢复时间
44 ns
漏源电阻
14.9mOhm
最大rds
14.9 mΩ
栅源电压
2 V
高度
838.2μm
长度
5.9944mm
宽度
5mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower Dissipation
-
IRFH5210TR2PBF
Surface Mount
8-PowerVDFN
100V
100 A
10A (Ta), 55A (Tc)
2 V
14.9 mΩ
20 V
3.6 W
3.6 W
-
Surface Mount
8-TQFN Exposed Pad
100V
11 A
11A (Ta), 58A (Tc)
3 V
-
20 V
-
3.6 W
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
-
63 A
11A (Ta), 63A (Tc)
4 V
-
20 V
-
3.6 W
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
75V
71 A
13A (Ta), 71A (Tc)
2 V
9.6 mΩ
20 V
3.6 W
3.6 W
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
100V
63 A
11A (Ta), 63A (Tc)
4 V
12.4 mΩ
20 V
3.6 W
114 W
IRFH5210TR2PBF PDF数据手册
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