IRFH5110TRPBF
8-PowerVDFN
Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
11A Ta 63A Tc
10V
1
3.6W Ta 114W Tc
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
12.4MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-N5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.6W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
12.4m Ω @ 37A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3152pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 10V
上升时间
9.6ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
6.4 ns
连续放电电流(ID)
63A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
252A
雪崩能量等级（Eas）
93 mJ
高度
838.2μm
长度
5.9944mm
宽度
5mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFH5110TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :