工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

21A Ta 40A Tc

4.5V 10V

1

3.1W Ta

65 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-N3

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.6m Ω @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5250pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 4.5V

上升时间

47ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

21A

阈值电压

-1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40A

漏极-源极导通最大电阻

0.0046Ohm

漏源击穿电压

-30V

栅源电压

-1.9 V

高度

950μm

长度

6mm

宽度

5mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant