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FDMS7556S

型号:

FDMS7556S

封装:

8-PowerTDFN

数据表:

FDMS7556S

描述:

MOSFET N-CH 25V 35A POWER56

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • 质量

    90mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 35A Ta 49A Tc

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 2.5W Ta 96W Tc

  • 48 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®, SyncFET™

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    96W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    20 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.2m Ω @ 35A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    8965pF @ 13V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    133nC @ 10V

  • 上升时间

    9ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    5.3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    49A

  • 阈值电压

    1.6V

  • JEDEC-95代码

    MO-240AA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    35A

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    200A

  • DS 击穿电压-最小值

    25V

  • 栅源电压

    1.6 V

  • 高度

    1.05mm

  • 长度

    5mm

  • 宽度

    6mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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