![FDD8770](https://static.esinoelec.com/200dimg/broadcomlimited-asmtmb00nae00-5136.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
4.5V 10V
1
115W Tc
49 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
4MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
25V
终端形式
GULL WING
额定电流
35A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
115W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3720pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
73nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
1.6V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
407A
栅源电压
1.6 V
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
FDD8770
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
35 A
35A (Tc)
1.6 V
20 V
115 W
115W (Tc)
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
42 A
22A (Ta), 42A (Tc)
1.6 V
20 V
65 W
2.5W (Ta), 65W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
75 A
10A (Ta), 32A (Tc)
1.5 V
20 V
1.87 W
1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
45 A
7.8A (Ta), 45A (Tc)
-
20 V
50 W
1.5W (Ta), 50W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
43 A
43A (Tc)
1.8 V
20 V
40 W
40W (Tc)
FDD8770 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :