触点镀层

Copper, Silver, Tin

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

49A Ta

4.5V 10V

3.5W Ta 156W Tc

24 ns

1

系列

HEXFET®

已出版

2013

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

3.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.95m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6100pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

94nC @ 10V

上升时间

43ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

49A

阈值电压

1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

478 mJ

高度

900μm

长度

6mm

宽度

5mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

RoHS Compliant

无铅

Lead Free