![FDMC86160ET100](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fdmc86160-3075.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
11 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
152.7mg
晶体管元件材料
SILICON
9A Ta 43A Tc
6V 10V
1
2.8W Ta 65W Tc
16 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
S-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1290pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
3.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.4 ns
连续放电电流(ID)
43A
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏极-源极导通最大电阻
0.014Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
204A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CContinuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxRoHS Status
-
FDMC86160ET100
Surface Mount
8-PowerWDFN
9A (Ta), 43A (Tc)
43 A
20 V
2.8W (Ta), 65W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
49A (Tc)
19 A
20 V
2.5W (Ta), 50W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerVDFN
9.3A (Ta), 46A (Tc)
9.3 mA
20 V
3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
45A (Tc)
45 A
20 V
60W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
40A (Tc)
40 A
20 V
5W (Ta), 44.5W (Tc)
ROHS3 Compliant
FDMC86160ET100 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :