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BSC117N08NS5ATMA1

型号:

BSC117N08NS5ATMA1

封装:

8-PowerTDFN

数据表:

BSC117N08NS5

描述:

MOSFET N-Ch 80V 49A TDSON-8

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • 质量

    506.605978mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 49A Tc

  • 6V 10V

  • 1

  • 2.5W Ta 50W Tc

  • 16 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2013

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2.5W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    11.7m Ω @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.8V @ 22μA

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1300pF @ 40V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    18nC @ 10V

  • 上升时间

    4ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    19A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    80V

  • 漏源击穿电压

    80V

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    1.1mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Contains Lead

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