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BSB104N08NP3GXUSA1

型号:

BSB104N08NP3GXUSA1

封装:

3-WDSON

数据表:

BSB104N08NP3G

描述:

MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    3-WDSON

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 13A Ta 50A Tc

  • 10V

  • 1

  • 2.8W Ta 42W Tc

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Silver/Nickel (Ag/Ni)

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    NO LEAD

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10.4m Ω @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 40μA

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2100pF @ 40V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    31nC @ 10V

  • 上升时间

    4ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    80V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    50A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0104Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    200A

  • DS 击穿电压-最小值

    80V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    110 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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