![BSC098N10NS5ATMA1](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-bsz215chxtma1-0031.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
6V 10V
1
2.5W Ta 69W Tc
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
69W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.8m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 36μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2100pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
上升时间
5ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
11A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
雪崩能量等级(Eas)
30 mJ
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°CContinuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRoHS Status
-
BSC098N10NS5ATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
60A (Tc)
11 A
20 V
69 W
2.5W (Ta), 69W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
DirectFET? Isometric MN
12A (Ta), 68A (Tc)
12 mA
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
63A (Tc)
63 A
20 V
78 W
78W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
58.8A (Tc)
58.8 A
20 V
5 W
5W (Ta), 56.8W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
74A (Tc)
74 A
20 V
-
2.5W (Ta), 69W (Tc)
ROHS3 Compliant
BSC098N10NS5ATMA1 PDF数据手册
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