IRF6646TRPBF
DirectFET™ Isometric MN
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric MN
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
12A Ta 68A Tc
10V
1
2.8W Ta 89W Tc
31 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2006
JESD-609代码
e1
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 额定直流
80V
端子位置
BOTTOM
额定电流
12A
JESD-30代码
R-XBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
89W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.5m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.9V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2060pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
上升时间
20ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
12 ns
连续放电电流(ID)
12mA
阈值电压
4.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
68A
漏源击穿电压
80V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
96A
雪崩能量等级（Eas）
230 mJ
高度
506μm
长度
6.35mm
宽度
5.05mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF6646TRPBF
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10.3A (Ta), 60A (Tc)
4.8 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
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8-PowerTDFN
87 A
10.6A (Ta), 87A (Tc)
-
-
-
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Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
-
20 V
79 W
79W (Tc)
Surface Mount
8-PowerTDFN
70 A
10.2A (Ta), 70A (Tc)
-
-
-
2.3W (Ta), 113W (Tc)
IRF6646TRPBF PDF数据手册
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