IPB80N06S407ATMA2
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
质量
1.946308g
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
10V
1
79W Tc
23 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
79W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 40μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56nC @ 10V
上升时间
3ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
5 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320A
漏源电阻
7.1mOhm
最大rds
7.1 mΩ
高度
4.4mm
长度
10mm
宽度
9.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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