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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / FDB13AN06A0 /
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

型号:

FDB13AN06A0

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

数据表:

FDB13AN06A0

描述:

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.31247g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 10.9A Ta 62A Tc

  • 6V 10V

  • 1

  • 115W Tc

  • 24 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2003

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    13.5MOhm

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 额定电流

    62A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    115W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    9 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    13.5m Ω @ 62A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1350pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    29nC @ 10V

  • 上升时间

    96ns

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 下降时间（典型值）

    26 ns

  • 连续放电电流(ID)

    62A

  • 阈值电压

    4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 双电源电压

    60V

  • 雪崩能量等级（Eas）

    56 mJ

  • 栅源电压

    4 V

  • 高度

    4.83mm

  • 长度

    10.67mm

  • 宽度

    11.33mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
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    Package / Case
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    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • FDB13AN06A0

    FDB13AN06A0

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    62 A

    10.9A (Ta), 62A (Tc)

    4 V

    20 V

    115 W

    115W (Tc)

  • IRFZ46ZSTRLPBF
    IRFZ46ZSTRLPBF

    Infineon Technologies

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    51 A

    51A (Tc)

    4 V

    20 V

    82 W

    82W (Tc)

  • FDB14AN06LA0-F085
    FDB14AN06LA0-F085

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    67 A

    67A (Tc)

    -

    20 V

    125 W

    125W (Tc)

  • FDB14AN06LA0
    FDB14AN06LA0

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    75 A

    75A (Tc)

    4 V

    20 V

    140 W

    140W (Tc)

  • IRF1010ZSPBF
    IRF1010ZSPBF

    Infineon Technologies

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    67 A

    10A (Ta), 67A (Tc)

    -

    20 V

    125 W

    125W (Tc)