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FDB14AN06LA0
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管元件材料
SILICON
10A Ta 67A Tc
5V 10V
1
125W Tc
24 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
60V
终端形式
GULL WING
额定电流
60A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
125W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.6m Ω @ 67A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2900pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 5V
上升时间
169ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
67A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10A
漏极-源极导通最大电阻
0.0146Ohm
漏源击穿电压
60V
雪崩能量等级(Eas)
46 mJ
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating Temperature
-
FDB14AN06LA0
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
67 A
10A (Ta), 67A (Tc)
20 V
125 W
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75 A
75A (Tc)
20 V
140 W
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
79 A
79A (Tc)
20 V
110 W
110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75 A
75A (Tc)
20 V
140 W
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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