BSC109N10NS3GATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
63A Tc
6V 10V
1
78W Tc
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
78W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.9m Ω @ 46A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 45μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2500pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
7ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
5 ns
连续放电电流(ID)
63A
阈值电压
2.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
252A
雪崩能量等级（Eas）
70 mJ
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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BSC109N10NS3GATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
63 A
63A (Tc)
2.7 V
20 V
78 W
78W (Tc)
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56 A
56A (Tc)
3 V
20 V
143 W
143W (Tc)
Surface Mount
8-PowerTDFN
49 A
12A (Ta), 49A (Tc)
1.9 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
61 A
61A (Tc)
2 V
20 V
140 W
140W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
61 A
61A (Tc)
3 V
20 V
140 W
140W (Tc)
BSC109N10NS3GATMA1 PDF数据手册
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