FDMC86160
8-PowerWDFN
ON SEMICONDUCTOR - FDMC86160 - MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 100 V, 0.0112 ohm, 10 V, 2.9 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
152.7mg
晶体管元件材料
SILICON
9A Ta 43A Tc
6V 10V
1
2.3W Ta 54W Tc
16 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
JESD-30代码
S-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
54W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1290pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
3.6ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
3.4 ns
连续放电电流(ID)
43A
阈值电压
2.9V
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
高度
750μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDMC86160
Surface Mount
8-PowerWDFN
43 A
9A (Ta), 43A (Tc)
2.9 V
20 V
54 W
2.3W (Ta), 54W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
50 A
50A (Tc)
3 V
20 V
125 W
125W (Tc)
Surface Mount
8-PowerVDFN
9.3 mA
9.3A (Ta), 46A (Tc)
3.7 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
42 A
42A (Tc)
2.5 V
16 V
140 mW
140W (Tc)
Surface Mount
8-PowerTDFN
45 A
8.5A (Ta), 45A (Tc)
3 V
20 V
78 W
78W (Tc)
FDMC86160 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :