BSC196N10NSGATMA1
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
8.5A Ta 45A Tc
10V
1
78W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
78W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19.6m Ω @ 45A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 42μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2300pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34nC @ 10V
上升时间
22ns
Vgs（最大值）
±20V
连续放电电流(ID)
45A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
雪崩能量等级（Eas）
60 mJ
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
BSC196N10NSGATMA1
Surface Mount
8-PowerTDFN
45 A
8.5A (Ta), 45A (Tc)
3 V
20 V
78 W
78W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
50 A
50A (Tc)
3 V
20 V
125 W
125W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
56 A
56A (Tc)
3 V
20 V
143 W
143W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
56 A
56A (Tc)
3 V
20 V
143 W
143W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
42 A
42A (Tc)
2.5 V
16 V
140 mW
140W (Tc)
BSC196N10NSGATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN封装 :
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