
FCH165N60E
TO-247-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
23A Tc
10V
227W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
165m Ω @ 11.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2434pF @ 380V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
75nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
23A
阈值电压
3.5V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltagePower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
FCH165N60E
Through Hole
TO-247-3
600V
23 A
23A (Tc)
3.5 V
227W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
26 A
26A (Tc)
-
190W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
29 A
29A (Tc)
3.5 V
278W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
24 A
24A (Tc)
4 V
190W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
23.8 A
23.8A (Tc)
-
176W (Tc)
10V
FCH165N60E PDF数据手册
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