
FCH125N60E
TO-247-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
29A Tc
10V
278W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
HTS代码
8541.29.00.95
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
125m Ω @ 14.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2990pF @ 380V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
95nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
29A
阈值电压
3.5V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltagePower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
FCH125N60E
Through Hole
TO-247-3
600V
29 A
29A (Tc)
3.5 V
278W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
29 A
29A (Tc)
3 V
250W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
-
30 A
30A (Tc)
-
219W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
28 A
28A (Tc)
4 V
210W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
600V
34 A
34A (Tc)
4 V
250W (Tc)
10V
FCH125N60E PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 数据表 :
- 技术图纸 :
- 到达声明 :