![STW34NM60N](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-stpsc2006cw-4626.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
29A Tc
10V
1
250W Tc
106 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
105MOhm
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
基本部件号
STW34N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
210W
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
105m Ω @ 14.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2722pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
34ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
70 ns
连续放电电流(ID)
29A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
DS 击穿电压-最小值
600V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
STW34NM60N
Through Hole
TO-247-3
600V
29 A
29A (Tc)
3 V
25 V
210 W
-
Through Hole
TO-247-3
-
35 A
35A (Tc)
3 V
30 V
312.5 W
-
Through Hole
TO-247-3
-
35 A
35A (Tc)
-
25 V
255 W
-
Through Hole
TO-247-3
-
33 A
33A (Tc)
-
25 V
190 W
-
Through Hole
TO-247-3
-
35 A
35A (Tc)
4 V
25 V
255 W
STW34NM60N PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :