规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
33A Tc
10V
1
190W Tc
56 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ V
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STW36N
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
190W
接通延迟时间
56 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 16.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2950pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
连续放电电流(ID)
33A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
漏源击穿电压
550V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STW36N55M5
Through Hole
TO-247-3
33 A
33A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
30 A
30A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
33 A
33A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
35 A
35A (Tc)
25 V
208 W
210W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
35 A
35A (Tc)
-
-
162W (Tc)
10V
STW36N55M5 PDF数据手册
- 数据表 :