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STW45N65M5
TO-247-3
MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
10V
1
210W Tc
79.5 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ V
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
78MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
基本部件号
STW45N
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
208W
接通延迟时间
79.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
78m Ω @ 19.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3375pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
91nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
35A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
STW45N65M5
Through Hole
TO-247-3
35 A
35A (Tc)
25 V
208 W
210W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
30 A
30A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
44 A
44A (Tc)
25 V
255 W
330W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
38 A
38A (Tc)
20 V
278 W
278W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
42 A
42A (Tc)
25 V
250 W
250W (Tc)
10V
STW45N65M5 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :