IPW65R099C6FKSA1
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
38A Tc
10V
1
278W Tc
77 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
278W
接通延迟时间
10.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
99m Ω @ 12.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1.2mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2780pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
127nC @ 10V
上升时间
9ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
6 ns
连续放电电流(ID)
38A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
漏极-源极导通最大电阻
0.099Ohm
雪崩能量等级（Eas）
845 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
IPW65R099C6FKSA1
Through Hole
TO-247-3
38 A
38A (Tc)
20 V
278 W
278W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
30 A
30A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
31.2 A
31.2A (Tc)
20 V
-
277.8W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
35 A
35A (Tc)
25 V
208 W
210W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
33 A
33A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
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