规格参数
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工厂交货时间
17 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
Through Hole
底架
Through Hole
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
STW42N65M5
65 ns
190W Tc
1
10V
33A Tc
系列
MDmesh™ V
包装
Tube
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
79mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
基本部件号
STW42N
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
190W
接通延迟时间
61 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
79m Ω @ 16.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4650pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
上升时间
24ns
Vgs（最大值）
±25V
下降时间（典型值）
13 ns
连续放电电流(ID)
33A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
雪崩能量等级（Eas）
950 mJ
最大结点温度（Tj）
150°C
宽度
5.15mm
长度
15.75mm
高度
24.45mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
STW42N65M5
Through Hole
TO-247-3
33 A
33A (Tc)
4 V
25 V
190 W
190W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
35 A
35A (Tc)
3 V
30 V
312.5 W
312.5W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
29 A
29A (Tc)
4 V
25 V
190 W
190W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
35 A
35A (Tc)
4 V
25 V
255 W
255W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
40 A
40A (Tc)
4 V
-
-
300W (Tc)
STW42N65M5 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :