规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
29A Tc
10V
1
190W Tc
111 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
FDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
110MOhm
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
基本部件号
STW34N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
190W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
110m Ω @ 14.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2785pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80.4nC @ 10V
上升时间
53.4ns
Vgs（最大值）
±25V
下降时间（典型值）
61.8 ns
连续放电电流(ID)
29A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
STW34NM60ND
Through Hole
TO-247-3
29 A
29A (Tc)
4 V
25 V
190 W
190W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
35 A
35A (Tc)
3 V
30 V
312.5 W
312.5W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
33 A
33A (Tc)
4 V
25 V
190 W
190W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
35 A
35A (Tc)
4 V
25 V
255 W
255W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
34 A
34A (Tc)
4 V
-
-
250W (Tc)
STW34NM60ND PDF数据手册
- 数据表 :