工厂交货时间

18 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

30A Tc

10V

1

219W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ P6

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 11.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 960μA

无卤素

Halogen Free

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2660pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

30A

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.125Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

87A

雪崩能量等级（Eas）

636 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free