STW33N60DM2
TO-247-3
STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
24A Tc
10V
190W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STW33N
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1870pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs（最大值）
±25V
连续放电电流(ID)
24A
阈值电压
4V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltagePower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
STW33N60DM2
Through Hole
TO-247-3
600V
24 A
24A (Tc)
4 V
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
600V
26 A
26A (Tc)
-
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
600V
29 A
29A (Tc)
3.5 V
278W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
600V
28 A
28A (Tc)
4 V
210W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
600V
21 A
21A (Tc)
4 V
170W (Tc)
10V
STW33N60DM2 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :