null 产品销售 - PDF - null - 页 397 - 深圳市佳达源电子有限公司

类别是'存储器'

存储器 (6000)

产品型号	品牌	数据表	有效性	单价(CNY)	询价	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																											操作温度	包装	系列	ECCN 代码	类型	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	记忆密度	筛选水平	并行/串行	内存IC类型	产品类别	长度
GS8672D20BGE-500I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	500 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672D20BGE		SigmaQuad-II+ B4			Memory & Data Storage														72 Mbit			1.63 A			4 M x 18					72				SRAM
GS8161Z18DGT-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS8161Z18DGT-250V	1.8 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	QFP	Commercial grade	TQFP-100	YES	100	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	0 to 85 °C			3A991.B.2.B		ALSO OPERATES AT 2.5V	8542.32.00.41		CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100		2 V	COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	205 mA, 225 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18	1.6 mm	18	20 Bit		18 Mbit	18874368 bit	Commercial	PARALLEL	ZBT SRAM		20 mm	14 mm
GS8160E36DGT-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	SDR	Details	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	Commercial grade	SRAM		TQFP-100			150 MHz	0 to 70 °C	Tray	GS8160E36DGT		DCD Synchronous Burst			Memory & Data Storage								100						18 Mbit	4		175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36			19 Bit	18 Mbit		Commercial			SRAM
GS8160E36DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 100 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	SRAM		TQFP-100			有		Tray	GS8160E36DGT		Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage														18 Mbit			250 mA, 270 mA	5.5 ns		512 k x 36									SRAM
GS8342Q37BD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	Industrial grade	SRAM		BGA-165			250 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q37BD		SigmaQuad-II+ B2			Memory & Data Storage								165						36 Mbit	2		775 mA		Pipelined	1 M x 36			19 Bit	36 Mbit		Industrial			SRAM
GS8162Z36DD-333V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Commercial grade	SRAM		BGA-165			200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z36DD		NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage								165						18 Mbit	4		240 mA, 310 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36			19 Bit	18 Mbit		Commercial			SRAM
GS8162Z36DB-150IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	10 Weeks	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	无	GS8162Z36DB-150IV	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade	SRAM	BGA-119	YES	119	133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DB	3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2 V	INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	195 mA, 210 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36	1.99 mm	36	19 Bit	18 Mbit	18874368 bit	Industrial	PARALLEL	ZBT SRAM	SRAM	22 mm	14 mm
GS8160E32DGT-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade	SRAM		TQFP-100			200 MHz	0 to 70 °C	Tray	GS8160E32DGT		DCD Synchronous Burst			Memory & Data Storage								100						18 Mbit	4		205 mA, 210 mA	6.5 ns		512 k x 32				18 Mbit		Commercial			SRAM
GS8342QT07BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	8 Bit	1.9 V	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	SRAM		BGA-165			300 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT07BD		SigmaQuad-II+ B2			Memory & Data Storage								165						36 Mbit			775 mA	0.45		4 M x 8					36				SRAM
GS8182D18BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8182D18BGD		SigmaQuad-II			Memory & Data Storage														18 Mbit			430 mA			1 M x 18									SRAM
GS8322Z36AB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Commercial grade	SRAM		BGA-119			153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	0 to 85 °C	Tray	GS8322Z36AB		NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage								119						36 Mbit	4		205 mA, 240 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36			20 Bit	36 Mbit		Commercial			SRAM
GS8182Q08BD-133	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	133 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	N	DDR	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8182Q08BD		SigmaQuad-II			Memory & Data Storage														18 Mbit			375 mA			2 M x 8									SRAM
GS8161E36DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8161E36DD		DCD Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage														18 Mbit			230 mA, 250 mA	5.5 ns		512 k x 36									SRAM
GS881Z32CGT-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	SRAM		TQFP-100			有		Tray	GS881Z32CGT		NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage														9 Mbit			150 mA, 160 mA	7.5 ns		256 k x 32									SRAM
GS881Z32CGT-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	SRAM		TQFP-100			有		Tray	GS881Z32CGT		NBT Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage														9 Mbit			160 mA, 190 mA	6.5 ns		256 k x 32									SRAM
GS816132DGD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS816132DGD		Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage														18 Mbit			230 mA	6.5 ns		512 k x 32									SRAM
GS816118DD-333IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade	SRAM		BGA-165			200@Flow-Through/333@Pipelined MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS816118DD		同步突发			Memory & Data Storage								165						18 Mbit	2		240 mA, 300 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18			20 Bit	18 Mbit		Industrial			SRAM
GS8342D36BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade	SRAM		BGA-165			400 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS8342D36BGD		SigmaQuad-II			Memory & Data Storage								165						36 Mbit	2		905 mA		Pipelined	1 M x 36			18 Bit	36 Mbit		Commercial			SRAM
GS8672T36BGE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672T36BGE		SigmaDDR-II			Memory & Data Storage														72 Mbit			1.26 A			2 M x 36					72				SRAM
GS8342Q19BD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	1.8000 V	Synchronous	18 Bit	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel		BGA-165			250 MHz	0 to 85 °C		GS8342Q19BD													165						36 Mbit			665 mA	0.45		2 M x 18						36
GS816236DGD-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS816236DGD		Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage														18 Mbit			200 mA, 210 mA	7.5 ns		512 k x 36									SRAM
GS88136CGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade	SRAM		BGA-165			200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	0 to 70 °C	Tray	GS88136CGD		Pipeline/Flow Through			Memory & Data Storage								165						9 Mbit	1		165 mA, 225 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36			17 Bit	9 Mbit		Commercial			SRAM
GS8342Q10BGD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Industrial grade	SRAM		BGA-165			250 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342Q10BGD		SigmaQuad-II+ B2			Memory & Data Storage								165						36 Mbit	2		675 mA		Pipelined	4 M x 9			21 Bit	36 Mbit		Industrial			SRAM
GS8342D20BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	Commercial grade	SRAM		BGA-165			400 MHz	0 to 85 °C	Tray	GS8342D20BD		SigmaQuad-II+			Memory & Data Storage								165						36 Mbit	2		705 mA		Pipelined	2 M x 18			19 Bit	36 Mbit		Commercial			SRAM
GS8672D20BGE-633	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	633 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	QDR-II	SRAM		BGA-165			有		Tray	GS8672D20BGE		SigmaQuad-II+ B4			Memory & Data Storage														72 Mbit			1.95 A			4 M x 18					72				SRAM

存储器 (6000)