RFD3055LESM9A
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
11A Tc
5V
1
38W Tc
22 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
107mOhm
电压 - 额定直流
60V
终端形式
GULL WING
额定电流
11A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
38W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
107m Ω @ 8A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.3nC @ 10V
上升时间
105ns
Vgs（最大值）
±16V
下降时间（典型值）
39 ns
连续放电电流(ID)
11A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
60V
栅源电压
3 V
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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11 A
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12 A
12A (Tc)
3 V
16 V
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14 mA
14A (Tc)
4 V
20 V
48 W
48W (Tc)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
14 A
14A (Tc)
4 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 42W (Tc)
RFD3055LESM9A PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :