STD12NF06LT4
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
12A Tc
5V 10V
1
42.8W Tc
20 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
100mOhm
电压 - 额定直流
60V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
12A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STD12
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
30W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 5V
上升时间
35ns
Vgs（最大值）
±16V
下降时间（典型值）
13 ns
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48A
双电源电压
60V
栅源电压
2 V
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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