![RFD16N05SM9A](https://static.esinoelec.com/200dimg/broadcomlimited-asmtmb00nae00-5136.jpg)
RFD16N05SM9A
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 50V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
16A Tc
10V
1
72W Tc
55 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
47mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
50V
终端形式
GULL WING
额定电流
16A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
72W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
47m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 20V
上升时间
30ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
16mA
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
50V
栅源电压
4 V
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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RFD16N05SM9A
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
16 mA
16A (Tc)
20 V
72 W
72W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
20 A
20A (Tc)
20 V
93 W
93W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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20 A
20A (Tc)
20 V
93 W
93W (Tc)
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-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
20 A
20A (Tc)
16 V
75 W
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
RFD16N05SM9A PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :