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HUF75321D3ST
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
20A Tc
10V
1
93W Tc
47 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
UltraFET™
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
36mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
55V
终端形式
GULL WING
额定电流
20A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
93W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
36m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
680pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 20V
上升时间
55ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
66 ns
连续放电电流(ID)
20A
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating Temperature
-
HUF75321D3ST
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
20 A
20A (Tc)
20 V
93 W
93W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
20 A
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93 W
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
25 A
25A (Tc)
16 V
57 W
57W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
20 A
20A (Tc)
20 V
128 W
128W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
25 A
25A (Tc)
16 V
57 W
57W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
HUF75321D3ST PDF数据手册
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