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NVD5805NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 40V 51A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
34 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
51A Tc
5V 10V
1
47W Tc
22.9 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
47W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10.2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.5m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1725pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
17.9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
51A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0095Ohm
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
85A
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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NVD5805NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
51 A
51A (Tc)
20 V
47W (Tc)
47 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
58 A
9.6A (Ta), 58A (Tc)
20 V
1.4W (Ta), 52W (Tc)
2 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
58 A
13A (Ta), 58A (Tc)
20 V
55W (Tc)
55 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
55 A
12.6A (Ta), 55A (Tc)
20 V
55W (Tc)
55 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
44 A
44A (Tc)
20 V
50W (Tc)
50 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NVD5805NT4G PDF数据手册
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