![NTMSD6N303R2](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smda15cdr2g-1945.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
6A Ta
4.5V 10V
1
2W Ta
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FETKY™
已出版
2009
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
950pF @ 24V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
22ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
45 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
0.032Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
雪崩能量等级(Eas)
325 mJ
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxNumber of Terminations
-
NTMSD6N303R2
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6 A
6A (Ta)
20 V
2 W
2W (Ta)
8
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6 A
-
20 V
2 W
-
8
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-9 A
9A (Tc)
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
8
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6 A
-
20 V
2 W
-
8
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6.8 A
8.5A
20 V
2 W
-
8
NTMSD6N303R2 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
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